เซี่ยงไฮ้, 17 เม.ย. (ซินหัว) -- ทีมนักวิจัยของจีนพัฒนาอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช (flash memory) ที่ปฏิวัติวงการด้วยความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลด้วยความเร็ว 1 บิตต่อ 400 พิโควินาที (picoseconds) ซึ่งสร้างสถิติใหม่ในฐานะอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลเซมิคอนดักเตอร์ที่เร็วที่สุดเท่าที่เคยมีการรายงาน

หน่วยความจำถาวรนี้มีชื่อว่าพั่วเสี่ยวหรือพ็อกซ์ (PoX) มีประสิทธิภาพเหนือกว่าเทคโนโลยีหน่วยความจำชั่วคราวที่เร็วที่สุด ซึ่งใช้เวลาในการจัดเก็บข้อมูลหนึ่งบิตประมาณ 1 ถึง 10 นาโนวินาที (nanoseconds) โดยพิโควินาทีเท่ากับหนึ่งในพันของนาโนวินาทีหรือหนึ่งในล้านล้านวินาที

อนึ่ง หน่วยความจำที่ข้อมูลสูญหายได้ (volatile memories) อย่างเอสแรม (SRAM) และดีแรม (DRAM) ซึ่งอาจสูญเสียข้อมูลเมื่อเกิดเหตุไฟฟ้าดับนั้นไม่เหมาะกับระบบพลังงานต่ำ ขณะที่หน่วยความจำถาวรอย่างแฟลช ถึงแม้จะประหยัดพลังงาน แต่ไม่สามารถตอบสนองความต้องการการเข้าถึงข้อมูลความเร็วสูงของเอไอ (AI) ได้

นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฟู่ตั้นได้พัฒนาหน่วยความจำแฟลชที่ใช้ช่องกราฟีนดิแรก (Dirac) สองมิติ โดยใช้กลไกที่เป็นนวัตกรรมใหม่ซึ่งทำลายขีดจำกัดความเร็วของการจัดเก็บและการเข้าถึงข้อมูลแบบถาวร

ผลการวิจัยดังกล่าวได้รับการเผยแพร่ในวารสารเนเจอร์ (Nature) เมื่อวันพุธ (16 เม.ย.) ที่ผ่านมา

โจวเผิง หัวหน้าคณะนักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฯ กล่าวว่าการใช้อัลกอริธึมเอไอเพื่อปรับเงื่อนไขการทดสอบกระบวนการให้เหมาะสม ช่วยให้การพัฒนานวัตกรรมนี้ก้าวหน้าขึ้นเป็นอย่างมากและปูทางสู่การประยุกต์ใช้ในอนาคต

ด้านผู้วิจารณ์วารสารลงความเห็นว่านี่เป็นผลงานดั้งเดิมและแปลกใหม่ที่เพียงพอต่อการออกแบบหน่วยความจำแฟลชความเร็วสูงในอนาคต

(แฟ้มภาพซินหัว : พั่วเสี่ยวหรือพ็อกซ์ (PoX) อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช ณ ห้องปฏิบัติการของมหาวิทยาลัยฟู่ตั้นในเทศบาลนครเซี่ยงไฮ้ทางตะวันออกของจีน วันที่ 27 มี.ค. 2025)

บทความก่อนหน้า

ออสเตรเลียเล็งดึงตัว 'นักวิทย์หัวกะทิ' จากสหรัฐฯ

บทความถัดไป

จี่หนานลุยงานขุดเจาะ 'อุโมงค์ลอดแม่น้ำเหลือง