ปักกิ่ง, 26 ม.ค. (ซินหัว) -- เมื่อไม่นานนี้ ทีมนักวิจัยจากสถาบันฟิสิกส์ สังกัดสถาบันบัณฑิตวิทยาศาสตร์จีน ได้สร้างความก้าวหน้าครั้งสำคัญด้านวัสดุเฟอร์โรอิเล็กทริก (ferroelectric) ซึ่งมีศักยภาพช่วยเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลได้อย่างมาก

รายงานระบุว่าทีมนักวิจัยประสบความสำเร็จในการระบุผนังโดเมนที่มีประจุไฟฟ้าแบบหนึ่งมิติ ภายในวัสดุเฟอร์โรอิเล็กทริกที่มีโครงสร้างแบบฟลูออไรต์ ผนังโดเมนดังกล่าวมีขนาดเล็กมาก โดยมีความหนาและความกว้างเพียงไม่กี่แสนส่วนของเส้นผ่านศูนย์กลางเส้นผมมนุษย์ ผลการค้นพบนี้จึงถือเป็นพื้นฐานทางวิทยาศาสตร์สำคัญสำหรับการพัฒนาอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลความหนาแน่นสูงพิเศษรุ่นใหม่ในอนาคต

วัสดุเฟอร์โรอิเล็กทริกมีบทบาทสำคัญต่อเทคโนโลยีแห่งอนาคตในหลายสาขา อาทิ การจัดเก็บข้อมูล การตรวจจับ และปัญญาประดิษฐ์ โดยการจัดเก็บข้อมูลภายในผนังโดเมนแบบหนึ่งมิติเหล่านี้อาจช่วยเพิ่มความหนาแน่นของการจัดเก็บข้อมูลได้เพิ่มขึ้นหลายร้อยเท่า

รายงานคาดการณ์ขีดจำกัดทางทฤษฎีไว้ที่ราว 20 เทราไบต์ต่อตารางเซนติเมตร ซึ่งมีความจุเพียงพอต่อการจัดเก็บภาพยนตร์ความคมชัดสูง 10,000 เรื่อง หรือวิดีโอสั้นความคมชัดสูง 2 แสนคลิปบนอุปกรณ์ที่มีขนาดพอๆ กับแสตมป์หรือตราไปรษณียากรหนึ่งดวง

อนึ่ง ผลการค้นพบครั้งนี้ได้รับการเผยแพร่ในวารสารไซเอนซ์ (Science) เมื่อวันศุกร์ (23 ม.ค.)

 

บทความก่อนหน้า

เด็ก-ผู้ใหญ่เล่นเลื่อนสนุกสนาน บนทะเลสาบน้ำแข็งในปักกิ่ง

บทความถัดไป

ฮุยเลฮุย! งานแข่ง 'พายเรือมังกรน้ำแข็ง' บนแม่น้ำแข็งค้างในซินเจียง